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杭州:目標(biāo)到2025年集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模實(shí)現(xiàn)800億元

來(lái)源:智匯工業(yè)

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關(guān)鍵詞:杭州 電路產(chǎn)業(yè)

    《實(shí)施意見(jiàn)》指出杭州市未來(lái)五大發(fā)展目標(biāo),分別為產(chǎn)業(yè)能級(jí)倍增、空間布局合理、新能力提升、平臺(tái)服務(wù)強(qiáng)化、產(chǎn)業(yè)風(fēng)險(xiǎn)可控。



    產(chǎn)業(yè)能級(jí)倍增。打造長(zhǎng)三角集成電路核心城市,會(huì)同寧波市、紹興市、嘉興市協(xié)同打造環(huán)杭州灣集成電路核心產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。到2025年,集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模實(shí)現(xiàn)800億元、沖刺1000億元,年均增長(zhǎng)20%;培育營(yíng)收百億元企業(yè)1—2家、50億元企業(yè)3家以上、10億元企業(yè)10家以上;在設(shè)計(jì)制造、化合物半導(dǎo)體、半導(dǎo)體核心材料、關(guān)鍵設(shè)備及零部件等領(lǐng)域,培育一批“專精特新”中小企業(yè)。


    空間布局合理。打造“一核一廊多點(diǎn)”空間格局。“一核”即濱江創(chuàng)新核,強(qiáng)化國(guó)家集成電路設(shè)計(jì)杭州產(chǎn)業(yè)化基地和杭州國(guó)家“芯火”雙創(chuàng)基地作用,打造高端芯片產(chǎn)業(yè)優(yōu)質(zhì)生態(tài)。“一廊”即城西科創(chuàng)大走廊,充分發(fā)揮大走廊體制優(yōu)勢(shì),會(huì)同拱墅、臨平等地,在高端芯片、核心材料、關(guān)鍵設(shè)備、支撐軟件等領(lǐng)域形成一批重大創(chuàng)新成果。“多點(diǎn)”即以錢塘區(qū)、蕭山區(qū)、富陽(yáng)區(qū)、桐廬縣、余杭區(qū)為重點(diǎn),引培重大制造產(chǎn)線,推進(jìn)重大項(xiàng)目建設(shè),打造國(guó)家級(jí)特色工藝半導(dǎo)體制造基地,爭(zhēng)創(chuàng)省級(jí)萬(wàn)畝千億產(chǎn)業(yè)平臺(tái)。


    創(chuàng)新能力提升。到2025年,在人工智能芯片、視覺(jué)處理芯片、服務(wù)器芯片、車規(guī)級(jí)芯片、量子計(jì)算芯片、類腦計(jì)算芯片、化合物半導(dǎo)體等前沿領(lǐng)域形成一批創(chuàng)新成果,集成電路重點(diǎn)企業(yè)研發(fā)費(fèi)用占營(yíng)業(yè)收入比超5%。


    平臺(tái)服務(wù)強(qiáng)化。培育集成電路集群促進(jìn)機(jī)構(gòu),加強(qiáng)平臺(tái)服務(wù)功能,支持龍頭企業(yè)創(chuàng)建高端芯片、特色工藝、化合物半導(dǎo)體等技術(shù)研發(fā)中心,每年新增企業(yè)研發(fā)機(jī)構(gòu)5家(含)以上。


    產(chǎn)業(yè)風(fēng)險(xiǎn)可控。落實(shí)國(guó)家集成電路重大項(xiàng)目行業(yè)指導(dǎo)制度。規(guī)范市域項(xiàng)目布局,集中資源支持高端項(xiàng)目,避免重復(fù)建設(shè)一般項(xiàng)目。壓實(shí)重大項(xiàng)目市場(chǎng)主體責(zé)任,嚴(yán)格落實(shí)國(guó)家動(dòng)態(tài)監(jiān)管要求,加強(qiáng)項(xiàng)目全生命周期管理。


    《實(shí)施意見(jiàn)》明確了五項(xiàng)重點(diǎn)任務(wù),包括實(shí)施高端設(shè)計(jì)引領(lǐng)行動(dòng)、實(shí)施特色制造提升行動(dòng)、實(shí)施特色制造提升行動(dòng)、實(shí)施平臺(tái)能級(jí)躍升行動(dòng)、實(shí)施長(zhǎng)三角協(xié)同攻關(guān)行動(dòng)。


    實(shí)施高端設(shè)計(jì)引領(lǐng)行動(dòng)。推進(jìn)集成電路高端芯片研發(fā)計(jì)劃和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新項(xiàng)目,大力發(fā)展高端模擬芯片和數(shù)模混合芯片。以濱江區(qū)、城西科創(chuàng)大走廊、臨平區(qū)為重點(diǎn),提升發(fā)展射頻傳感器、基帶、交換、光通信、顯示驅(qū)動(dòng)、電源管理、RISC-V、物聯(lián)網(wǎng)智能硬件、車規(guī)級(jí)、FBAR濾波器、存算一體等新型專用芯片;創(chuàng)新發(fā)展嵌入式系統(tǒng)、存儲(chǔ)器、處理器、服務(wù)器等高端通用芯片;培育發(fā)展類腦計(jì)算、邊緣計(jì)算、量子計(jì)算、柔性電子、化合物半導(dǎo)體等前沿技術(shù)產(chǎn)品。


    實(shí)施特色制造提升行動(dòng)。構(gòu)建特色工藝芯片制造產(chǎn)線,培育百億級(jí)鏈主企業(yè)。支持采取CMOS、MOSFET等工藝技術(shù),發(fā)展IGBT、智能傳感器、MEMS、FinFET、半導(dǎo)體激光器、光電器件等產(chǎn)品。支持氮化鎵、碳化硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鋁等化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目建設(shè)。以錢塘區(qū)、蕭山區(qū)、富陽(yáng)區(qū)、桐廬縣、余杭區(qū)為重點(diǎn),支持成熟制程成套工藝芯片制造產(chǎn)線項(xiàng)目。支持城西科創(chuàng)大走廊規(guī)劃建設(shè)高端存儲(chǔ)重大項(xiàng)目。


    實(shí)施關(guān)鍵材料設(shè)備攻關(guān)行動(dòng)。以濱江區(qū)、錢塘區(qū)、富陽(yáng)區(qū)、臨安區(qū)、蕭山區(qū)、余杭區(qū)、臨平區(qū)、建德市為重點(diǎn),支持大尺寸硅片等關(guān)鍵材料的研發(fā)攻關(guān);提升光刻膠、高純化學(xué)試劑、電子氣體、功能高分子材料等的自給率和本地化配套率;提高電路測(cè)試、分選、超潔凈流控系統(tǒng)、半導(dǎo)體外延、化學(xué)機(jī)械平坦化拋光等設(shè)備的研制能力,突破一批關(guān)鍵核心技術(shù)。


    實(shí)施平臺(tái)能級(jí)躍升行動(dòng)。提升杭州國(guó)家“芯火”雙創(chuàng)基地、浙江省集成電路創(chuàng)新中心、錢塘芯谷、鎵谷射頻產(chǎn)業(yè)園、臨安云制造小鎮(zhèn)、杭州集成電路測(cè)試服務(wù)中心等平臺(tái)的運(yùn)營(yíng)服務(wù)水平,促進(jìn)創(chuàng)新基地、研發(fā)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)基地的聯(lián)動(dòng)發(fā)展。依托骨干企業(yè)、科研院所構(gòu)建中小企業(yè)孵化平臺(tái),為初創(chuàng)企業(yè)提供技術(shù)開(kāi)發(fā)、信貸融資、市場(chǎng)推廣、法律訴訟、知識(shí)產(chǎn)權(quán)等指導(dǎo)服務(wù)。


    實(shí)施長(zhǎng)三角協(xié)同攻關(guān)行動(dòng)。探索長(zhǎng)三角協(xié)同攻關(guān)“揭榜掛帥”機(jī)制,推動(dòng)長(zhǎng)三角區(qū)域芯片、軟件和終端企業(yè)多方聯(lián)動(dòng),圍繞終端系統(tǒng)需求部署開(kāi)展協(xié)同攻關(guān),構(gòu)建自主可控IP核布局。打造長(zhǎng)三角“芯機(jī)聯(lián)動(dòng)”對(duì)接平臺(tái),支撐重大應(yīng)用場(chǎng)景的開(kāi)發(fā)。


    在政策措施方面,《實(shí)施意見(jiàn)》中指出,要組織集成電路領(lǐng)域重大科技攻關(guān)。圍繞集成電路核心器件、高端芯片、關(guān)鍵材料、核心設(shè)備、EDA工具等,開(kāi)展市級(jí)重大科技攻關(guān)。鼓勵(lì)企業(yè)牽頭承擔(dān)國(guó)家、省技術(shù)攻關(guān)任務(wù),對(duì)獲批國(guó)家、省重大項(xiàng)目的,按照有關(guān)政策給予支持。鼓勵(lì)企業(yè)申報(bào)“中國(guó)芯”等行業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)。


    要加大首次流片、關(guān)鍵材料、核心設(shè)備和EDA工具的支持。對(duì)重點(diǎn)支持領(lǐng)域的高端芯片產(chǎn)品,首次流片費(fèi)用1000萬(wàn)元以上的,按照不超過(guò)其流片費(fèi)用的15%給予補(bǔ)助,最高補(bǔ)助2000萬(wàn)元;對(duì)集成電路關(guān)鍵材料、核心設(shè)備等自主研發(fā)投入5000萬(wàn)元以上并實(shí)現(xiàn)實(shí)際銷售的,按照不超過(guò)其研發(fā)投入的15%給予補(bǔ)助,最高補(bǔ)助5000萬(wàn)元;對(duì)開(kāi)展EDA工具技術(shù)攻關(guān),自主研發(fā)投入1000萬(wàn)元以上并實(shí)現(xiàn)實(shí)際銷售的,按照不超過(guò)其自主研發(fā)投入的15%給予補(bǔ)助,最高補(bǔ)助2000萬(wàn)元。


    要支持公共平臺(tái)建設(shè)。對(duì)提供EDA工具和IP核、設(shè)計(jì)解決方案、先進(jìn)工藝流片、先進(jìn)封測(cè)服務(wù)、測(cè)試驗(yàn)證等設(shè)備,用于高端芯片支撐服務(wù)的集成電路公共技術(shù)平臺(tái),其實(shí)際建設(shè)投入在5億元以上的,完工后按投資額的6%給予補(bǔ)助,最高補(bǔ)助5000萬(wàn)元。對(duì)公共服務(wù)平臺(tái)(機(jī)構(gòu))按其服務(wù)中小企業(yè)收入的10%給予補(bǔ)助,最高補(bǔ)助1000萬(wàn)元。支持本市集成電路產(chǎn)業(yè)平臺(tái)服務(wù)長(zhǎng)三角企業(yè)技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)合作。


    (審核編輯: 小王子)

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